內容簡介:　　壓電電子學和壓電光電子學的基本概念和原理由王中林教授研究組分別于2007年和2010年首次提出。在人機界面、主動式傳感器、主動式柔性電子學、微型機器人、智能電子簽名、智能微納機電系統(tǒng)以及能源技術等領域中，壓電電子學和壓電光電子學具有廣闊的應用前景?！都{米科學與技術：壓電電子學與壓電光電子學》介紹壓電電子學和壓電光電子學的物理原理、基本理論以及基本器件單元的設計、制造、測試和應用；共分11章，包括壓電電子學和壓電光電子學導論、纖鋅礦結構半導體材料中的壓電勢、壓電電子學基本理論、壓電電子學晶體管、壓電電子學邏輯電路及運算操作、壓電電子學機電存儲器、壓電光電子學理論、壓電光電子學效應在光電池中的應用、壓電光電子學效應在光電探測器中的應用、壓電光電子學效應對發(fā)光二極管的影響、壓電光電子學效應在光電化學過程和能源存儲中的應用等內容。
　　《納米科學與技術：壓電電子學與壓電光電子學》是一部系統(tǒng)性強、深入淺出、圖文并茂的專業(yè)著作，可供相關領域的科研工作者參考使用，同時也可以用作高年級本科生和研究生專業(yè)課程的教科書。

作者簡介: 　　王中林，美國佐治亞理工學院終身校董事講席教授、Hightower終身講席教授，中國科學院北京納米能源與系統(tǒng)研究所（籌）首席科學家：中國科學院外籍院士，歐洲科學院院士：美國物理學會會士（fellow），美國科學促進會（AAAS）會士，美國材料研究學會會士，美國顯微鏡學會會士。榮獲美國顯微鏡學會1999年巴頓獎章，佐治亞理工學院2000年、2005年杰出研究獎，2001年S.T.Li獎（美國），2009年美國陶瓷學會Purdy獎，2011年美國材料研究學會獎章（MRS Medal），2012年美國陶瓷學會愛德華·奧爾頓獎。他發(fā)明了納米發(fā)電機并發(fā)展出其技術路線圖。他關于自驅動納米系統(tǒng)的研究激發(fā)了世界學術界和工業(yè)界對于微納系統(tǒng)電源問題的廣泛研究，這已成為能源研究與未來傳感器網(wǎng)絡研究中的特色學科。通過在新型的電子器件和光電子器件中引入壓電勢控制的電荷傳輸過程，他開創(chuàng)了壓電電子學和壓電光電子學學科并引領其發(fā)展，這在智能微機電系統(tǒng)或納機電系統(tǒng)、納米機器人、人與電子器件的交互界面以及傳感器等方面具有重要的應用。其著作已被引用超過52000次，論文被引用的h因子（h-index）是110。

目錄:前言
第1章 壓電龜子學和壓電光電子學導論
1.1 以多樣性和多功能性超越摩爾定律
1.2 人機交互界面
1.3 壓電電子學和壓電光電子學的物理基礎：壓電勢
1.4 壓電電子學領域的創(chuàng)立
1.5 壓電電子學效應
1.5.1 壓電電子學效應對金屬一半導體接觸的作用
1.5.2 壓電電子學效應對p-n結的作用
1.6 壓電光電子學效應
1.7 適用于壓電電子學研究的一維纖鋅礦納米結構
1.8 展望
參考文獻

第2章 纖鋅礦結構半導體材料中的壓電勢
2.1 支配方程
2.2 前三階微擾理論
2.3 垂直納米線的解析解
2.4 橫向彎曲納米線的壓電勢
2.5 橫向彎曲納米線的壓電電勢測量
2.6 軸向應變納米線內的壓電勢
2.7 摻雜半導體納米線中的平衡電勢
2.7.1 理論框架
2.7.2 考慮摻雜情況時壓電勢的計算
2.7.3 摻雜濃度的影響
2.7.4 載流子類型的影響
2.8 壓電勢對局域接觸特性的影響
2.8.1 理論分析
2.8.2 實驗驗證
2.9 電流傳輸?shù)牡锥藗鬏斈Ｐ?
參考文獻

第3章 壓電電子學基本理論
3.1 壓電電子學晶體管與傳統(tǒng)場效應晶體管的比較
3.2 壓電勢對金屬-半導體接觸的影響
3.3 壓電勢對p-n結的影響
3.4 壓電電子學效應的理論框架
3.5 一維簡化模型的解析解
3.5.1 壓電p-n結
3.5.2 金屬-半導體接觸
3.5.3 金屬-纖鋅礦結構半導體接觸
3.6 壓電電子學器件的數(shù)值模擬
3.6.1 壓電p-n結
3.6.2 壓電晶體管
3.7 總結
參考文獻

第4章 壓電電子學晶體管
4.1 壓電電子學應變傳感器
4.1.1 傳感器的制備和測量
4.1.2 壓電納米線內應變的計算
4.1.3 傳感器的機電特性表征
4.1.4 應用熱電子發(fā)射一擴散理論的數(shù)據(jù)分析
4.1.5 壓阻和壓電效應效果的區(qū)分
4.1.6 壓電電子學效應引起的應變系數(shù)劇增
4.2 壓電二極管
4.2.1 壓電電子學效應引起的歐姆接觸到肖特基接觸的轉變
4.2.2 肖特基勢壘變化的定量分析
4.2.3 壓電電子學二極管工作機制
4.2.4 壓電電子學機電開關
4.3 基于垂直納米線的壓電晶體管
4.3.1 反向偏置接觸
4.3.2 正向偏置接觸
4.3.3 兩端口壓電電子學晶體管器件
4.4 總結
參考文獻

第5章 壓電電子學邏輯電路及運算操作
5.1 應變門控晶體管
5.1.1 器件制備
5.1.2 基本原理
5.2 應變門控反相器
5.3 壓電電子學邏輯運算
5.3.1 與非門和或非門（NAND和NOR）
5.3.2 異或門（XOR）
5.4 總結
參考文獻

第6章 壓電電子學機電存儲器
6.1 器件制備
6.2 機電存儲器原理
6.3 溫度對存儲器性能的影響
6.4 機電存儲器中的壓電電子學效應
6.5 可復寫的機電存儲器
6.6 總結
參考文獻

第7章 壓電光電子學理論
7.1 壓電光電子學效應的理論框架
7.2 壓電光電子學效應對發(fā)光二極管的影響
7.2.1 壓電發(fā)光二極管簡化模型的解析解
7.2.2 壓電p-n結發(fā)光二極管器件的數(shù)值模擬
7.3 壓電光電子學效應對光電傳感器的影響
7.3.1 正偏肖特基接觸的電流密度
7.3.2 反偏肖特基接觸的電流密度
7.3.3 光激發(fā)模型
7.3.4 壓電電荷和壓電勢方程
7.3.5 壓電光電子學效應對雙肖特基接觸結構的影響
7.3.6 金屬-半導體-金屬光電探測器的數(shù)值模擬
7.4 壓電光電子學效應對太陽能電池的影響
7.4.1 基本方程
7.4.2 基于p-n結的壓電太陽能電池
7.4.3 金屬-半導體肖特基接觸型太陽能電池
7.5 總結
參考文獻

第8章 壓電光電子學效應在光電池中的應用
8.1 金屬一半導體接觸光電池
8.1.1 實驗方法
8.1.2 基本原理
8.1.3 光電池輸出的優(yōu)化
8.1.4 理論模型
8.2 p-n異質結太陽能電池
8.2.1 壓電勢對太陽能電池輸出的影響
8.2.2 壓電電子學模型
8.3 增強型硫化亞銅（Cu2S）／硫化鎘（CdS）同軸納米線太陽能電池
8.3.1 光伏器件設計
8.3.2 壓電光電子學效應對輸出的影響
8.3.3 理論模型
8.4 異質結核殼納米線的太陽能轉換效率
8.5 總結
參考文獻

第9章 壓電光電子學效應在光電探測器中的應用
9.1 測量系統(tǒng)設計
9.2 紫外光傳感器的表征
9.3 壓電光電子學效應對紫外光靈敏度的影響
9.3.1 實驗結果
9.3.2 物理模型
9.4 壓電光電子學效應對可見光探測器靈敏度的影響
9.4.1 實驗結果及與計算結果的比較
9.4.2 壓阻效應的影響
9.4.3 串聯(lián)電阻的影響
9.5 壓電光電子學光電探測的評價標準
9.6 總結
參考文獻

第10章 壓電光電子學效應對發(fā)光二極管的影響
10.1 發(fā)光二極管的制備和測量方法
10.2 發(fā)光二極管的表征
10.3 壓電效應對發(fā)光二極管效率的影響
10.4 壓電極化方向的效應
10.5 注入電流與施加應變之間的關系
10.6 發(fā)光光譜和激發(fā)過程
10.6.1 異質結能帶圖
10.6.2 受應變發(fā)光二極管的發(fā)光光譜
10.7 壓電光電子學效應對發(fā)光二極管的影響
10.7.1 基本物理過程
10.7.2 應變對異質結能帶的影響
10.8 應變對光偏振的影響
10.9 P型氮化鎵薄膜的電致發(fā)光特性
10.9.1 壓電光電子學效應對發(fā)光二極管的影響
10.9.2 理論模型
10.9.3 發(fā)光特性分析
10.10 總結
參考文獻

第11章 壓電光電子學效應在電化學過程和能源存儲中的應用
11.1 光電化學過程的基本原理
11.2 壓電勢對光電化學過程的影響
11.3 光電化學太陽能電池
11.3.1 電池設計
11.3.2 壓電光電子學效應對光電化學過程的影響
11.4 壓電勢對機械能到電化學能量轉化過程的影響
11.4.1 自充電功率源器件的工作原理
11.4.2 自充電功率源器件的設計
1i.4.3 自充電功率源器件的性能
11.5 總結
參考文獻
附錄
附錄1 王中林小組2006～2012年間發(fā)表的有關納米發(fā)電機、壓電電子學和壓電光電子學方面的文章
附錄2 縮寫詞