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內(nèi)容簡介:　　《現(xiàn)代電子材料與元器件》較為系統(tǒng)地介紹了主要的電子信息功能材料的結(jié)構(gòu)和組成、電子元器件的工作原理，以及這些器件在電子信息系統(tǒng)中的應(yīng)用。全書共10章，分別是：緒論；晶體材料的結(jié)構(gòu)；半導(dǎo)體材料與應(yīng)用；化合物半導(dǎo)體基礎(chǔ)；化合物半導(dǎo)體器件；光電子材料與器件；電介質(zhì)材料；磁電子學(xué)材料與器件；電子陶瓷材料；納米技術(shù)與納米電子學(xué)。書中主要介紹電子元件常用材料的基礎(chǔ)理論、基本參數(shù)與性能特點，器件的工作原理、基本組成、制作及應(yīng)用情況。
　　《現(xiàn)代電子材料與元器件》可作為高等工科院校微電子學(xué)、電子科學(xué)與技術(shù)、電子信息科學(xué)與技術(shù)、光信息科學(xué)與技術(shù)專業(yè)的本科生教材，也可作為自動控制類、計算機(jī)類、通信類及相關(guān)材料類專業(yè)高年級本科生和研究生的教材及教學(xué)參考書，還可供從事電子材料與元件的生產(chǎn)、科研及產(chǎn)品研發(fā)的專業(yè)技術(shù)人員參考。

作者簡介:

目錄:叢書序
前言
第1章 緒論
1．1 電子材料的發(fā)展歷史
1．2 電子材料的重要作用
1．3 電子材料與器件的研究現(xiàn)狀
1．3．1 硅基半導(dǎo)體材料
1．3．2 化合物半導(dǎo)體材料
1．3．3 半導(dǎo)體自旋電子學(xué)材料和器件
1．3．4 磁性納米材料的應(yīng)用
1．3．5 有機(jī)光電子材料
1．4 電子材料的發(fā)展前景

第2章 晶體材料的結(jié)構(gòu)
2．1 晶體的主要特征
2．1．1 晶體的點陣結(jié)構(gòu)
2．1．2 晶面和密勒指數(shù)
2．1．3 晶體的宏觀對稱性
2．1．4 晶體的微觀對稱性
2．2 典型晶體的結(jié)構(gòu)
2．2．1 密堆積與配位數(shù)
2．2．2 典型單質(zhì)共價鍵晶體的結(jié)構(gòu)
2．2．3 典型離子化合物晶體結(jié)構(gòu)
2．3 原子間的結(jié)合方式
2．3．1 吸引力和排斥力
2．3．2 離子鍵
2．3．3 共價鍵
2．3．4 金屬鍵
2．3．5 范德瓦耳斯力
2．4 晶體中的缺陷
2．4．1 晶體中的微觀缺陷
2．4．2 晶體中的宏觀缺陷
習(xí)題

第3章 半導(dǎo)體材料與應(yīng)用
3．1 半導(dǎo)體材料的物理基礎(chǔ)
3．1．1 本征半導(dǎo)體
3．1．2 半導(dǎo)體中的雜質(zhì)
3．1．3 費米能級和載流子密度
3．1．4 電導(dǎo)與霍爾效應(yīng)
3．1．5 非平衡栽流子
3．2 半導(dǎo)體材料的性質(zhì)
3．2．1 光吸收與光電導(dǎo)
3．2．2 電容效應(yīng)與擊穿特性
3．2．3 壓阻效應(yīng)與磁阻效應(yīng)
3．2．4 電阻率的溫度特性
3．3 半導(dǎo)體材料的分類
3．3．1 元素半導(dǎo)體材料
3．3．2 化合物半導(dǎo)體材料
3．3．3 非晶態(tài)半導(dǎo)體
3．4 半導(dǎo)體材料的制備工藝方法
3．4．1 多晶制備工藝
3．4．2 單晶制備工藝
3．4．3 外延生長技術(shù)
3．5 半導(dǎo)體材料的應(yīng)用
習(xí)題

第4章 化合物半導(dǎo)體基礎(chǔ)
4．1 化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
4．1．1 化合物半導(dǎo)體的周期性結(jié)構(gòu)
4．1．2 半導(dǎo)體的能帶理論
4．1．3 半導(dǎo)體的有效質(zhì)量
4．1．4 GaAs的能帶結(jié)構(gòu)
4．2 載流子的輸運過程
4．2．1 波爾茲曼輸運方程
4．2．2 散射機(jī)制
4．2．3 速度過沖
4．2．4 載流子的彈道輸運過程
4．3 二維電子氣
4．3．1 二維電子氣
4．3．2 二維電子氣的能量狀態(tài)
4．3．3 二維電子氣的光學(xué)特性
4．4 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)
4．4．1 異質(zhì)結(jié)的能帶突變
4．4．2 熱平衡時理想異質(zhì)結(jié)的能帶圖
4．4．3 界面態(tài)對異質(zhì)結(jié)能帶的影響
4．4．4 異質(zhì)結(jié)的伏安特性
4．5 半導(dǎo)體超晶格
4．5．1 半導(dǎo)體超晶格的能帶結(jié)構(gòu)
4．5．2 組分半導(dǎo)體超晶格
4．5．3 摻雜超晶格
4．5．4 應(yīng)變超晶格
4．5．5 非晶態(tài)超晶格
習(xí)題

第5章 化合物半導(dǎo)體器件
5．1 化合物半導(dǎo)體的物理性質(zhì)
5．1．1 化合物半導(dǎo)體
5．1．2 化合物半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)
5．1．3 晶格常數(shù)
5．1．4 光學(xué)性質(zhì)
5．1．5 電學(xué)特性
5．2 金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管器件
5．2．1 GaAsMESFET的基本結(jié)構(gòu)
5．2．2 GaAsMESFET的直流特性
5．2．3 GaAsMESFET的微波特性
5．3 異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管
5．3．1 HBT器件的基本結(jié)構(gòu)
5．3．2 HBT器件的直流特性
5．3．3 HBT器件的高頻特性
5．4 高電子遷移率晶體管
5．4．1 HEMT器件的基本結(jié)構(gòu)
5．4．2 FIEMT器件的直流特性
5．4．3 HEMT器件的射頻特性
5．4．4 當(dāng)代HEMT技術(shù)
5．5 半導(dǎo)體光源
5．5．1 激光二極管（LD）
5．5．2 發(fā)光二極管（LED）
5．5．3 半導(dǎo)體激光器
5．6 半導(dǎo)體光電探測器
5．6．1 光電導(dǎo)探測器的基本特性
5．6．2 p-i-n二極管
5．6．3 APD（雪崩擊穿二極管）
5．6．4 MSM（金屬-半導(dǎo)體-金屬）探測器
習(xí)題

第6章 光電子材料與器件
6．1 概述
6．2 光纖
6．2．1 光纖的結(jié)構(gòu)
6．2．2 光纖的種類
6．2．3 光纖的制備
6．2．4 光纖的應(yīng)用
6．3 激光器及材料
6．3．1 固體激光器的工作原理
6．3．2 固體激光器基質(zhì)材料
6．3．3 固體激光器的激活離子
6．3．4 幾種常見的固體激光器
6．4 液晶顯示材料與器件
6．4．1 液晶材料的物理性質(zhì)
6．4．2 液晶的分類及結(jié)構(gòu)特點
6．4．3 常用液晶顯示器件
6．4．4 液晶顯示技術(shù)的發(fā)展趨勢
習(xí)題

第7章 電介質(zhì)材料
7．1 概述
7．2 電介質(zhì)在靜電場中的極化
7．2．1 電介質(zhì)的極化現(xiàn)象
7．2．2 電介質(zhì)的極化機(jī)制
7．3 電介質(zhì)的動態(tài)極化
……
第8章 磁電子學(xué)材料與器件
第9章 電子陶瓷材料
第10章 納米技術(shù)與納米電子學(xué)
參考文獻(xiàn)