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內(nèi)容簡(jiǎn)介:    《電子信息與電氣學(xué)科規(guī)劃教材（電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)）：集成電路制程設(shè)計(jì)與工藝仿真》介紹當(dāng)代集成電路設(shè)計(jì)的系統(tǒng)級(jí)前端、布局布線后端及工藝實(shí)現(xiàn)三大環(huán)節(jié)所構(gòu)成的整體技術(shù)的發(fā)展，重點(diǎn)著眼于集成電路工藝過(guò)程的計(jì)算機(jī)仿真和計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)，以及具體的工具軟件和系統(tǒng)的使用?！峨娮有畔⑴c電氣學(xué)科規(guī)劃教材（電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)）：集成電路制程設(shè)計(jì)與工藝仿真》共12章，主要內(nèi)容包括常規(guī)集成平面工藝、集成工藝原理概要、超大規(guī)模集成工藝、一維工藝仿真綜述、工藝仿真交互設(shè)置、工藝仿真模型設(shè)置、工藝仿真模擬精度、一維工藝仿真實(shí)例、集成工藝二維仿真、二維工藝仿真實(shí)現(xiàn)、現(xiàn)代可制造性設(shè)計(jì)、可制造性設(shè)計(jì)理念，并提供電子課件和習(xí)題解答。
    《電子信息與電氣學(xué)科規(guī)劃教材（電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)）：集成電路制程設(shè)計(jì)與工藝仿真》可作為高等學(xué)校電子科學(xué)與技術(shù)、微電子、集成電路設(shè)計(jì)等專業(yè)的教材，也可供集成電路芯片制造領(lǐng)域的工程技術(shù)人員學(xué)習(xí)參考。

作者簡(jiǎn)介:

目錄:緒論
0-1 半導(dǎo)體及半導(dǎo)體工業(yè)的起源
0-2 半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展規(guī)律
0-3 半導(dǎo)體技術(shù)向微電子技術(shù)的發(fā)展
0-4 當(dāng)代微電子技術(shù)的發(fā)展特征
本章小結(jié)
習(xí)題
第1章 半導(dǎo)體材料及制備
1.1 半導(dǎo)體材料及半導(dǎo)體材料的特性
1.1.1 半導(dǎo)體材料的特征與屬性
1.1.2 半導(dǎo)體材料硅的結(jié)構(gòu)特征
1.2 半導(dǎo)體材料的冶煉及單晶制備
1.3 半導(dǎo)體硅材料的提純技術(shù)
1.3.1 精餾提純SiCl4技術(shù)及其提純裝置
1.3.2 精餾提純SiCl4的基本原理
1.4 半導(dǎo)體單晶材料的制備
1.5 半導(dǎo)體單晶制備過(guò)程中的晶體缺陷
本章小結(jié)
習(xí)題

第2章 集成工藝及原理
2.1 常規(guī)集成電路制造技術(shù)基礎(chǔ)
2.1.1 常規(guī)雙極性晶體管的工藝結(jié)構(gòu)
2.1.2 常規(guī)雙極性晶體管平面工藝流程
2.1.3 常規(guī)PN結(jié)隔離集成電路平面工藝流程
2.2 外延生長(zhǎng)技術(shù)
2.3 常規(guī)硅氣相外延生長(zhǎng)過(guò)程的動(dòng)力學(xué)原理
2.4 氧化介質(zhì)制備技術(shù)
2.5 半導(dǎo)體高溫?fù)诫s技術(shù)
2.6 常規(guī)高溫?zé)釘U(kuò)散的數(shù)學(xué)描述
2.6.1 恒定表面源擴(kuò)散問(wèn)題的數(shù)學(xué)分析
2.6.2 有限表面源擴(kuò)散問(wèn)題的數(shù)學(xué)分析
2.7 雜質(zhì)熱擴(kuò)散及熱遷移工藝模型
2.8 離子注入低溫?fù)诫s技術(shù)
本章小結(jié)
習(xí)題

第3章 超大規(guī)模集成工藝
3.1 當(dāng)代微電子技術(shù)的技術(shù)進(jìn)步
3.2 當(dāng)代超深亞微米級(jí)層次的技術(shù)特征
3.3 超深亞微米層次下的小尺寸效應(yīng)
3.4 典型超深亞微米CMOS制造工藝
3.5 超深亞微米CMOS工藝技術(shù)模塊簡(jiǎn)介
本章小結(jié)
習(xí)題

第4章 一維工藝仿真綜述
4.1 集成電路工藝仿真技術(shù)
4.2 一維工藝仿真系統(tǒng)
SUPREM-2
4.3 SUPREM-2的建模
本章小結(jié)
習(xí)題

第5章 工藝仿真交互設(shè)置
5.1 SUPREM-2工藝仿真輸入卡的設(shè)置規(guī)范
5.2 SUPREM-2工藝模擬卡的卡序設(shè)置
5.3 SUPREM-2仿真系統(tǒng)的卡語(yǔ)句設(shè)置
5.4 輸出/輸入類卡語(yǔ)句的設(shè)置
5.5 工藝步驟類卡語(yǔ)句的設(shè)置
5.6 工藝模型類卡語(yǔ)句的設(shè)置
本章小結(jié)
習(xí)題

第6章 工藝模擬系統(tǒng)模型設(shè)置
6.1 系統(tǒng)模型的類型及參數(shù)分類
6.1.1 元素模型
6.1.2 氧化模型
6.1.3 外延模型
6.1.4 特殊用途模型
6.2 SUPREM-2工藝模擬系統(tǒng)所設(shè)置的默認(rèn)參數(shù)值
本章小結(jié)
習(xí)題

第7章 工藝模擬精度的調(diào)試
7.1 工藝模擬輸入卡模型修改語(yǔ)句
7.2 工藝模擬精度的調(diào)試實(shí)驗(yàn)
7.2.1 工藝模擬精度調(diào)試實(shí)驗(yàn)的設(shè)置
7.2.2 工藝模擬精度調(diào)試實(shí)驗(yàn)舉例
本章小結(jié)
習(xí)題

第8章 一維工藝仿真實(shí)例
8.1 縱向NPN管芯工序全工藝模擬
8.1.1 工藝制程與模擬卡段的對(duì)應(yīng)描述
8.1.2 縱向NPN工藝制程的標(biāo)準(zhǔn)模擬卡文件
8.1.3 縱向NPN工藝制程模擬的標(biāo)準(zhǔn)輸出
8.2 PMOS結(jié)構(gòu)柵氧工藝模擬實(shí)例
8.3 典型的NPN分立三極管工藝模擬
8.4 PMOS場(chǎng)效應(yīng)器件源漏擴(kuò)散模擬
8.5 可制造性設(shè)計(jì)實(shí)例一
8.6 可制造性設(shè)計(jì)實(shí)例二
8.7 可制造性設(shè)計(jì)實(shí)例三
8.8 可制造性設(shè)計(jì)實(shí)例四
本章小結(jié)
習(xí)題

第9章 集成電路工藝二維仿真
9.1 集成電路工藝二維仿真系統(tǒng)
9.1.1 TSUPREM-4系統(tǒng)概述
9.1.2 TSUPREM-4仿真系統(tǒng)剖析
9.1.3 TSUPREM-4采用的數(shù)值算法
9.2 TSUPREM-4仿真系統(tǒng)的運(yùn)行
9.3 TSUPREM-4仿真系統(tǒng)的
人機(jī)交互語(yǔ)言
本章小結(jié)
習(xí)題

第10章 二維工藝仿真實(shí)例
10.1 二維選擇性定域刻蝕的實(shí)現(xiàn)
本章小結(jié)
習(xí)題

第11章 可制造性設(shè)計(jì)工具
11.1 新一代集成工藝仿真
系統(tǒng)Sentaurus Process
11.1.1 Sentaurus Process簡(jiǎn)介
11.1.2 Sentaurus Process的安裝及啟動(dòng)
11.1.3 創(chuàng)建Sentaurus Process批處理卡命令文件
11.1.4 Sentaurus Process批處理文件執(zhí)行的主要命令語(yǔ)句
11.1.5 Sentaurus Process所設(shè)置的文件類型
11.2 Sentaurus Process的仿真功能及交互工具
11.2.1 Sentaurus Process的仿真領(lǐng)域
11.2.2 Sentaurus Process提供的數(shù)據(jù)庫(kù)瀏覽器
11.2.3 Sentaurus Process圖形輸出結(jié)果調(diào)閱工具
11.3 Sentaurus Process所收入的近代模型
11.3.1 Sentaurus Process中的離子注入模型
11.3.2 Sentaurus Process中的小尺寸擴(kuò)散模型
11.3.3 Sentaurus Process對(duì)局部微機(jī)械應(yīng)力變化描述的建模
11.3.4 Sentaurus Process中基于原子動(dòng)力學(xué)的蒙特卡羅擴(kuò)散模型
11.3.5 Sentaurus Process中的氧化模型
11.4 Sentaurus Process工藝仿真實(shí)例
11.4.1 工藝制程設(shè)計(jì)方案
11.4.2 工藝仿真卡命令文件的編寫
11.4.3 仿真實(shí)例卡命令文件范本
11.4.4 工藝制程仿真結(jié)果
11.4.5 工藝仿真結(jié)果的分析
11.5 關(guān)于Sentaurus StructureEditor器件結(jié)構(gòu)生成器
11.5.1 Sentaurus Structure Editor概述
11.5.2 使用SDE完成由Process到Device的接口過(guò)渡
11.5.3 使用Sentaurus StructureEditor創(chuàng)建新的器件結(jié)構(gòu)
本章小結(jié)
習(xí)題

第12章 可制造性設(shè)計(jì)理念
12.1 納米級(jí)IC可制造性設(shè)計(jì)理念
12.1.1 DFM 技術(shù)的實(shí)現(xiàn)流程
12.1.2 DFM與工藝可變性、光刻之間的關(guān)系
12.1.3 DFM工具的發(fā)展
12.2 提高可制造性良品率的OPC技術(shù)
12.2.1 光刻技術(shù)的現(xiàn)狀與發(fā)展概況
12.2.2 關(guān)于光學(xué)鄰近效應(yīng)
12.2.3 光學(xué)鄰近效應(yīng)校正技術(shù)
12.2.4 用于實(shí)現(xiàn)光刻校正的工具軟件
12.3 Synopsys可制造性設(shè)計(jì)解決方案
12.3.1 良品率設(shè)計(jì)分析工具套裝
12.3.2 掩膜綜合工具
12.3.3 掩膜數(shù)據(jù)準(zhǔn)備工具CATSTM
12.3.4 光刻驗(yàn)證及光刻規(guī)則檢查系統(tǒng)
12.3.5 虛擬光掩膜步進(jìn)曝光模擬系統(tǒng)
12.3.6 TCAD可制造性設(shè)計(jì)工具
12.3.7 制造良品率的管理工具
本章小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)