內(nèi)容簡介:　　《CMOS模擬集成電路分析與設計（第2版）》是普通高等教育“十一五”國家級規(guī)劃教材。本書分析了CMOS模擬集成電路設計理論與技術(shù)，全書由17章組成。從CMOS器件物理及高階效應出發(fā)，介紹了CMOS模擬集成電路的基礎，然后分別介紹了模擬集成電路中的各種電路模塊：基本放大器、恒流源電路、差分放大器、運算放大器、基準電壓源、開關(guān)電容電路、集成電壓比較器、數(shù)/模轉(zhuǎn)換與模/數(shù)轉(zhuǎn)換、振蕩器與鎖相環(huán)等。另外，還分析了CMOS模擬集成電路的頻率響應、穩(wěn)定性、運算放大器的頻率補償及其反饋電路特性，以及噪聲與非線性。

目錄:第1章　基本MOS器件物理
1.1　有源器件
1.1.1　MOS管結(jié)構(gòu)與幾何參數(shù)
1.1.2　MOS管的工作原理及表示符號
1.1.3　MOS管的高頻小信號電容
1.1.4　MOS管的電特性
1.1.5　二階效應
1.1.6　MOS管交流小信號模型
1.1.7　有源電阻
1.2　無源器件
1.2.1　電阻
1.2.2　電容
1.3　短溝道效應
1.3.1　按比例縮小
1.3.2　短溝道效應
1.4　MOS器件模型
第2章　單級放大器
2.1　共源放大器
2.1.1　無源負載共源放大器
2.1.2　有源器件作為負載
2.2　源極跟隨器
2.2.1　電阻負載源極跟隨器
2.2.2 電流源負載源極跟隨器
2.3 共柵放大器
2.4　共源共柵極（級聯(lián)級）
2.5　折疊式級聯(lián)
第3章　恒流源電路
3.1　基本電流鏡結(jié)構(gòu)
3.2 　威爾遜電流源
3.3　共源共柵電流源—高輸出阻抗恒流源
3.4　低壓共源共柵結(jié)構(gòu)
3.5　高輸出阻抗、高輸出擺幅的恒流源
3.6 電源抑制電流源
3.6.1　CMOS峰值電流源
3.6.2 恒定跨導電流源
小結(jié)
第4章 差分放大器
4.1　概述
4.2 基本差分對
4.2.1 電路結(jié)構(gòu)
4.2.2 差分對的共模輸入及輸出壓擺
4.2.3　差分對的差分工作
4.3　以MOS管作為負載的差分放大器
4.4　CMOS差分放大器
4.4.1　工作原理
4.4.2 電路分析
4.4.3 CMOS差分放大器的主要性能
4.5　模擬乘法器
4.5.1　模擬乘法器設計方法
4.5.2 直接利用雙差分結(jié)構(gòu)實現(xiàn)
4.6 吉爾伯特單元
4.6.1 經(jīng)典吉爾伯特單元
4.6.2 吉爾伯特單元典型應用
第5章 放大器的頻率響應
5.1　頻率特性的基本概念和分析方法
5.1.1 基本概念
5.1.2 研究方法
5.2　共源放大器的頻率響應
5.2.1 電路的零極點
5.2.2　輸入阻抗
5.3　源極跟隨器的頻率響應
5.3.1 電路的零極點
5.3.2　輸入阻抗
5.3.3 輸出阻抗
5.4　共柵極——電流緩沖器的頻率響應
5.4.1 電路的零極點
5.4.2 輸入阻抗
5.5　級聯(lián)放大器的頻率響應
5.6　CMOS增益級的頻率響應
5.7　差分放大器的頻率響應
5.7.1 CMOS全差分對的頻率響應
5.7.2　電流鏡為負載的差分對的頻率響應
第6章 反饋
6.1 基本概念
6.1.1 反饋放大器的方框圖及放大倍數(shù)的一般表達式
6.1.2 負反饋放大器的類型
6.2　負反饋結(jié)構(gòu)
6.3　負反饋放大器的特性
6.3.1　提高放大器增益的穩(wěn)定性
6.3.2 對系統(tǒng)的輸入與輸出電阻的影響
6.3.3 帶寬調(diào)節(jié)
6.3.4　減少非線性失真
6.3.5　負載的影響
6.4 反饋網(wǎng)絡的噪聲效應
6.5　系統(tǒng)的穩(wěn)定性
6.5.1　單極點系統(tǒng)
6.5.2　多極點系統(tǒng)
第7章　噪聲
7.1　概述
7.1.1　噪聲的描述方法
7.1.2　相關(guān)噪聲源與獨立噪聲源
7.1.3 噪聲帶寬
7.2　噪聲的種類
7.2.1　熱噪聲
7.2.2　閃爍噪聲——1/f噪聲
7.2.3　散粒噪聲
7.3　電路中噪聲的表示方式
7.3.1　噪聲源表示法
7.3.2　 與 的計算
7.4　單級放大器中的噪聲
7.4.1　共源放大器
7.4.2 共柵放大器
7.4.3　共源共柵放大器
7.4.4 源極跟隨器
7.4.5 CMOS放大器的噪聲
7.5　差分對中的噪聲
第8章　運算放大器
8.1 概述
8.1.1 運算放大器的主要參數(shù)
8.1.2 分析運算放大器的一般步驟
8.2　單級運放
8.2.1　全差分單級運算放大器
8.2.2 單端輸出運算放大器
8.3　共模反饋
8.3.1 共模電平的檢測方法
8.3.2　誤差比較技術(shù)
8.4 多級運放
8.4.1　兩級運放
8.4.2 多級運放
8.5 運放的建立時間TSET
8.5.1 物理意義
8.5.2 單級運放的轉(zhuǎn)換速率
8.5.3 二級運放的轉(zhuǎn)換速率
8.6　增益提高電路
8.6.1 基本增益提高電路
8.6.2 增益提高的級聯(lián)運放
8.7 軌到軌運算放大器
8.7.1 軌到軌運算放大器輸入級
8.7.2 軌到軌輸出
8.8 運放中的噪聲分析
8.9　運算放大器的設計流程
小結(jié) 
第9章　運算放大器的頻率補償
9.1　穩(wěn)定相位裕度
9.2　頻率補償
9.2.1 單級高增益運放的頻率補償
9.2.2　CMOS多級運放的補償
第10章 開關(guān)電容電路
10.1　概述
10.2　MOS模擬開關(guān)
10.2.1　MOS開關(guān)管的電阻
10.2.2　MOS管極間電容的影響
10.2.3　襯偏的調(diào)制與kT/C噪聲
10.3　開關(guān)電容電路的工作原理及特點
10.3.1 電荷重分配原理
10.3.2　開關(guān)電容電路的等效電阻
10.4 開關(guān)電容電路模塊
10.4.1　采樣維持(S/H)
10.4.2 增益放大模塊
10.4.3 開關(guān)電容積分器
10.4.4　倍乘和單位延遲及積分/加法（或減法）電路
10.4.5　開關(guān)電容濾波器
10.4.6　開關(guān)電容共模負反饋
10.5 開關(guān)電容電路中的非理想效應
10.5.1 開關(guān)的非理想效應
10.5.2 電容的不精確
10.5.3 非理想的運算放大器的影響
10.5.4 開關(guān)電容電路中的噪聲
第11章　放大器的非線性失真
11.1　概述
11.1.1 非線性的定義
11.1.2 非線性的度量方法
11.2 單級放大器的非線性
11.2.1 由于MOS管特性引起的非線性
11.2.2 由放大器傳輸特性引起的非線性
11.3　差分電路的非線性
11.4 電路中器件引起的非線性
11.4.1 電容的非線性
11.4.2 MOS管作為電阻的非線性
11.5 克服非線性的技術(shù)
11.5.1　原理
11.5.2　改善放大器非線性失真的 實際電路
第12章 基準電壓源
12.1 基本工作原理
12.1.1　與溫度無關(guān)的基準
12.1.2 常見的帶隙基準電壓源的結(jié)構(gòu)
12.2　帶隙基準源各個單元的分析
12.2.1　電流鏡
12.2.2　運算放大器
12.2.3 溫度補償
12.3 低電壓工作的基準電壓源
12.3.1 常態(tài)閾值器件的低電壓基準電壓源
12.3.2 結(jié)構(gòu)改進型低電壓基準電壓源
12.4 以MOS管閾值電壓Vth為基準的參考電壓源
12.5　亞閾值區(qū)的基準電壓源
12.6　多組電壓源的產(chǎn)生
12.7　帶負載能力
第13章 集成電壓比較器
13.1 概述
13.1.1 基本概念
13.1.2 電壓比較器的主要參數(shù)及設計要求
13.1.3 電壓比較器的結(jié)構(gòu)
13.2 級聯(lián)反相器結(jié)構(gòu)
13.2.1 基本反相器結(jié)構(gòu)
13.2.2 典型級聯(lián)反相結(jié)構(gòu)比較器
13.2.3 快速的級聯(lián)反相結(jié)構(gòu)比較器
13.3 差分輸入運算放大器結(jié)構(gòu)
13.3.1 靜態(tài)模式
13.3.2 動態(tài)工作模式
第14章 D/A、A/D轉(zhuǎn)換器
14.1 概述
14.2 數(shù)/模轉(zhuǎn)換(DAC)
14.2.1 工作原理
14.2.2 DAC的主要性能
14.2.3 DAC的種類
14.3 模/數(shù)轉(zhuǎn)換電路
14.3.1 工作原理
14.3.2 性能參數(shù)
14.3.3 模/數(shù)轉(zhuǎn)換器類型
第15章 振蕩器與鎖相環(huán)
15.1 振蕩器
15.1.1 概述
15.1.2 LC振蕩器
15.1.3 交叉耦合振蕩器
15.1.4 科爾皮茲振蕩器
15.1.5 負阻振蕩器
15.1.6 移相振蕩器
15.1.7 環(huán)形振蕩器
15.1.8 壓控振蕩器
15.2 鎖相環(huán)
15.2.1 鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)
15.2.2 鎖相環(huán)路的性能
15.2.3 鎖定狀態(tài)
15.2.4 頻率倍增和合成
15.2.5 電荷泵鎖相環(huán)
15.2.6 鎖相環(huán)設計的一般思路
15.2.7 分數(shù)鎖相環(huán)
第16章　版圖設計技術(shù)
16.1 版圖的設計流程
16.2 工藝制約
16.3 工藝設計規(guī)則
16.4 布局與布線
16.4.1 MOS管的版圖設計
16.4.2 二極管的版圖設計
16.4.3　無源器件
16.4.4 布局
16.4.5 布線
16.5　封裝
16.5.1 自感
16.5.2 互感
第17章　工程設計
17.1 工程A：運算放大器設計
17.1.1 工程目標
17.1.2 放大器結(jié)構(gòu)的確定
17.1.3 各級放大器參數(shù)的確定
17.1.4 仿真驗證
17.2 工程B：模/數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC的設計
17.2.1 目標與設計流程
17.2.2 電路結(jié)構(gòu)
17.2.3 電路設計
17.2.4 總體電路設計與仿真
17.2.5 版圖設計及后仿真
17.2.6 芯片測試方案
參考文獻